动态无功补偿设备
应用背景
一是变电站电容器组的投切方式大多为手动投切。如果根据“任何时刻不过补”的原则手动投入电容器，会导致大量的电容器在变电站里被闲置，使设备利用率降低。为避免上述情况，有的变电站根据负荷的需要改动电容器组内投入电容器的数量。但这样又改变了串联电抗器与电容器的比例，存在谐振的危险，技术上也存在隐患。
二是即使安装了电压无功调整装置的变电站，频繁投切也会带来相当严重的隐患。由于投切机构为接触器或断路器，无法适应不断变化的无功负荷的需要，因此频繁投切很容易对电网造成冲击，致使电容器接触器与断路器损坏。信息请登陆:输配电设备网
为确保任何时刻变电站的无功控制都处于*佳状态，变电站需要一种具有动态、连续调节能力的无功调节手段，磁控电抗器(MCR)因此得到应用。
MCR技术原理
MCR源自磁放大器以及传统饱和电抗器。但是这两种产品响应速度慢、损耗大、噪音大、谐波大，长期以来没有得到广泛应用。“磁阀”概念的提出，大大改善了饱和电抗器在损耗、噪音以及谐波等方面的性能，为饱和电抗器性能上的突破奠定了基础;而控制技术与电力电子在饱和电抗器中的**应用，更是从根本上改变了传统饱和电抗器响应速度慢和控制难度高的缺点。一种高度可靠、更低损耗、更低谐波、更小占地面积、更易维护且基本免维护的高低压动态无功补偿装置MCR，为广大用户提高功率因数、改善电能质量、提高自动运行水平，提供了全新的选择。
MCR由一个四柱铁芯和绕组组成，中间两个铁芯柱为工作铁芯。由于可控硅接于控制绕组上，其电压很低，约为系统额定电压的1%左右，从而大大提高了运行可靠性。当工作绕组两端接上交流电压时，控制绕组就会感应出相应的电压。以控制绕组的匝数为工作绕组的1%计，可控硅T1和T2上的电压仅为工作电压的1%，通过控制T1、T2的触发角即可控制直流激磁。触发角越小，铁芯饱和度越高，电抗器的感抗越小。因此，只要控制T1和T2的触发角大小，就可以平滑地调节MCR的容量。此外，MCR具有自耦励磁功能，省去了单独的直流控制源。MCR的另一特点，是小截面铁芯处于极限饱和状态，而其他铁芯则处于不饱和状态，这就降低了有功损耗，降低了谐波含量，噪声也变得较小。
MCR应用实例
将MCR技术用于变电站的无功补偿系统，将使变电站的无功装备水平产生质的飞跃，大幅提高变电站无功补偿精度和快速调节能力。MCR技术在实现高功率因数的同时，使变电站的无功调节从手动、分级、有触点的调节方式升级为自动、连续、无触点的调节方式，避免了电容器投切动作，有效改善了电压质量，大幅降低了有载调压开关的动作次数，使现有电容器得到了*大限度利用，延长了设备寿命，进而提高电网的**运行水平。