保护IGBT的续流二极管的开关特性也受栅极电阻的影响，FZ2400R17KF6C-B2并限制栅极阻抗的*小值。这意味着IGBT的导通开关速度只能提高到一个与所用续流二极管反向恢复特性相兼容的水平。栅极电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力，而且由于IGBT模块中diC/dt的增大，也增大了续流二极管的过压极限。通过使用特殊设计和优化的带软恢复功能的CAL(可控轴向寿命)二极管，使得反向峰值电流小，从而使桥路中IGBT的导通电流小。
栅极驱动电路的驱动器输出级是一种典型的设计，采用了两个按图腾柱形式配置的MOSFET，如图3所示。两个MOSFET的栅极由相同的信号驱动。当信号为高电平时，N通道MOSFET导通，当信号为低电平时，P通道MOSFET导通，从而产生一个两晶体管推挽输出配置。MOSFET的输出级可有一路或两路输出。根据输出级有一路还是两路输出，可实现具有一个或两个栅极电阻(导通，关断)的用于对称或不对称栅极控制的解决方案。
栅极电阻的计算
对于低开关损耗，无FZ2400R17KF6C-B2模块振荡，低二极管反向恢复峰值电流和*大dv/dt限制，栅极电阻必须体现出*佳的开关特性。通常在应用中，额定电流大的IGBT模块将采用较小的栅极电阻驱动;同样的，额定电流小的IGBT模块，将需要较大的栅极电阻。也就是说，IGBT数据手册中所给的电阻值必须为每个设计而优化。IGBT数据手册中指定了栅极电阻值。然而，**的栅极电阻值一般介于IGBT数据表中所列的值和其两倍之间。IGBT数据表中所指定的值是*小值;在指定条件下，两倍于额定电流可被**地关断。在实际中，由于测试电路和各个应用参数的差异，IGBT数据表中的栅极电阻值往往不一定是*佳值。上面提到的大概的电阻值(即两倍的数据表值)，FZ2400R17KF6C-B2可被作为优化的起点，以相应地减少栅级电阻值。确定*终**值的**途径是测试和衡量*终系统。使应用中的寄生电感*小很重要。这对于保持IGBT的关断过电压在数据表的指定范围内是必要的，特别是在短路情况下。栅极电阻决定栅极峰值电流IGM。增大栅极峰值电流将减少导通和关断时间以及开关损耗。栅级峰值电流的*大值和栅级电阻的*小值分别由驱动器输出级的性能决定。
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